物理学报
物理學報
물이학보
2005年
12期
5738-5742
,共5页
王英龙%卢丽芳%闫常瑜%褚立志%周阳%傅广生%彭英才
王英龍%盧麗芳%閆常瑜%褚立誌%週暘%傅廣生%彭英纔
왕영룡%로려방%염상유%저립지%주양%부엄생%팽영재
纳米Si晶粒%脉冲激光烧蚀%薄膜形貌%光致发光
納米Si晶粒%脈遲激光燒蝕%薄膜形貌%光緻髮光
납미Si정립%맥충격광소식%박막형모%광치발광
采用XeCl脉冲准分子激光器,在10 Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻单晶Si靶,分别在距靶3 cm的玻璃和单晶Si衬底上制备了纳米Si薄膜.相应的Raman谱和x射线衍射谱均证实了薄膜中纳米Si晶粒的形成.扫描电子显微镜图像显示,所形成的薄膜呈均匀的纳米Si晶粒镶嵌结构.相应的光致发光峰位出现在599 nm,峰值半高宽为56 nm,与相同参数下以He气为缓冲气体的结果相比,具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象.
採用XeCl脈遲準分子激光器,在10 Pa的Ar氣環境下,燒蝕高阻單晶Si靶,分彆在距靶3 cm的玻璃和單晶Si襯底上製備瞭納米Si薄膜.相應的Raman譜和x射線衍射譜均證實瞭薄膜中納米Si晶粒的形成.掃描電子顯微鏡圖像顯示,所形成的薄膜呈均勻的納米Si晶粒鑲嵌結構.相應的光緻髮光峰位齣現在599 nm,峰值半高寬為56 nm,與相同參數下以He氣為緩遲氣體的結果相比,具有較窄的光緻髮光譜,併顯示齣譜峰藍移現象.
채용XeCl맥충준분자격광기,재10 Pa적Ar기배경하,소식고조단정Si파,분별재거파3 cm적파리화단정Si츤저상제비료납미Si박막.상응적Raman보화x사선연사보균증실료박막중납미Si정립적형성.소묘전자현미경도상현시,소형성적박막정균균적납미Si정립양감결구.상응적광치발광봉위출현재599 nm,봉치반고관위56 nm,여상동삼수하이He기위완충기체적결과상비,구유교착적광치발광보,병현시출보봉람이현상.
