CAJ | 학술논문

利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌.测试发现样品的Ⅰ-Ⅴ曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5 V,反向饱和电流为0.02 mA.计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0 V～0.3 V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3 V～0.8 V的高偏压区域,理想因子为8.36.解释了理想因子偏高的原因是由于金属-半导体接触以及ZnO纳米线与p+-Si界面存在缺陷.
이용CVD증기부획법,재p+규편상제비료수직생장적n형ZnO납미선진렬,용XRD화SEM분석료양품적결구여형모.측시발현양품적Ⅰ-Ⅴ곡선부합전형적p-n이질결특성,정향개계전압위0.5 V,반향포화전류위0.02 mA.계산료이질결적이상인자η,발현당이질결량단편압재0 V～0.3 V적저압구역,이상인자위1.85,이재0.3 V～0.8 V적고편압구역,이상인자위8.36.해석료이상인자편고적원인시유우금속-반도체접촉이급ZnO납미선여p+-Si계면존재결함.