真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2008年
5期
47-49
,共3页
微光器件%铟封漏气%气密性%杂质污染
微光器件%銦封漏氣%氣密性%雜質汙染
미광기건%인봉루기%기밀성%잡질오염
为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关.采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%.
為解決微光管光電陰極與管體銦封漏氣問題,採用掃描電鏡和X射線能譜儀對銦材和封接過程工藝質量進行全麵分析,結果錶明造成銦封漏氣的根本原因是銦量小,銦錶麵氧化和吸附的雜質汙染造成的,與銦純度無關.採取提高真空度,改進化銦工藝,控製銦高溫外流等措施解決瞭陰極與管體銦封漏氣問題,使氣密性成品率大于90%.
위해결미광관광전음겁여관체인봉루기문제,채용소묘전경화X사선능보의대인재화봉접과정공예질량진행전면분석,결과표명조성인봉루기적근본원인시인량소,인표면양화화흡부적잡질오염조성적,여인순도무관.채취제고진공도,개진화인공예,공제인고온외류등조시해결료음겁여관체인봉루기문제,사기밀성성품솔대우90%.
