电瓷避雷器
電瓷避雷器
전자피뢰기
INSULATORS AND SURGE ARRESTERS
2009年
1期
22-26
,共5页
巫欣欣%张剑平%施利毅%徐东%吴振红
巫訢訢%張劍平%施利毅%徐東%吳振紅
무흔흔%장검평%시리의%서동%오진홍
氧化锌压敏电阻片%稀土氧化物%电性能
氧化鋅壓敏電阻片%稀土氧化物%電性能
양화자압민전조편%희토양화물%전성능
综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展.掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3,可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm.显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流.其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm.漏电流从28.2μA降低到9.8μA.
綜述瞭近年來稀土摻雜氧化鋅壓敏瓷中的研究進展.摻雜稀土氧化物可明顯的減小ZnO晶粒呎吋,使晶粒呎吋分佈均勻;其中摻雜Y2O3,可使ZnO-Bi2O3繫壓敏瓷晶粒呎吋由11.3μm降到5.4μm,摻雜Er2O3使晶粒呎吋由1.60μm減小到1.06μm.顯著提高瞭ZnO壓敏瓷的電位梯度、降低瞭漏電流.其中在ZnO-Bi2O3繫壓敏瓷中摻雜Y2O3,可穫得電位梯度約為270 V/mm、漏電流為3μA、壓比為1.66的電阻片,在ZnO-PrA6O11繫壓敏瓷中摻雜Er2O3,電位梯度可提高到416.3 V/mm.漏電流從28.2μA降低到9.8μA.
종술료근년래희토참잡양화자압민자중적연구진전.참잡희토양화물가명현적감소ZnO정립척촌,사정립척촌분포균균;기중참잡Y2O3,가사ZnO-Bi2O3계압민자정립척촌유11.3μm강도5.4μm,참잡Er2O3사정립척촌유1.60μm감소도1.06μm.현저제고료ZnO압민자적전위제도、강저료루전류.기중재ZnO-Bi2O3계압민자중참잡Y2O3,가획득전위제도약위270 V/mm、루전류위3μA、압비위1.66적전조편,재ZnO-PrA6O11계압민자중참잡Er2O3,전위제도가제고도416.3 V/mm.루전류종28.2μA강저도9.8μA.
