辐射研究与辐射工艺学报
輻射研究與輻射工藝學報
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JOURNAL OF RADIATION RESEARCH AND RADIATION PROCESSING
2009年
4期
239-243
,共5页
陈继栋%张红%李宁%武振华
陳繼棟%張紅%李寧%武振華
진계동%장홍%리저%무진화
p53%HeLa细胞%12C6+%ATM
p53%HeLa細胞%12C6+%ATM
p53%HeLa세포%12C6+%ATM
本文研究了HeLa细胞经过12C6+离子束辐照之后的DNA损伤效应,及辐照后p53激活的分子机制.运用中性单细胞电泳技术,检测了HeLa细胞经过4Gy12C6+离子束辐照间隔0、3、6和12 h之后DNA的损伤情况,及0.5、1、2和4 Gy12C6+离子束辐照后即时的DNA损伤情况.同时运用细胞生长实时监测仪监测了HeLa细胞在经过0、0.5和1 Gy12C6+离子束辐照之后的生长变化,并运用AO/EB双染检测了辐照细胞24h后的凋亡情况.另外,利用8 mmol/L的咖啡因[抑制ATM(ataxia-telangiectasia,mumted)和ATR(ATM andRad3-related kinase)]和20 μmol/L的wortmannin[抑制ATM和DNA-PK(DNA-dependent protein kinase)]处理HeLa细胞后再进行1 Gy12C6+离子束辐照,通过western blot检测p53的表达.结果显示,12C6+离子束辐照可造成HeLa细胞的DNA损伤,损伤随剂量升高而升高但随测定间隔时间降低,诱导HeLa细胞发生凋亡;而且辐照后p53表达升高.结果证明12C6+离子束辐照可造成HeLa细胞的DNA损伤并诱导损伤修复及凋亡等效应,损伤效应相关因子p53被激活,并且激活依赖于ATM.
本文研究瞭HeLa細胞經過12C6+離子束輻照之後的DNA損傷效應,及輻照後p53激活的分子機製.運用中性單細胞電泳技術,檢測瞭HeLa細胞經過4Gy12C6+離子束輻照間隔0、3、6和12 h之後DNA的損傷情況,及0.5、1、2和4 Gy12C6+離子束輻照後即時的DNA損傷情況.同時運用細胞生長實時鑑測儀鑑測瞭HeLa細胞在經過0、0.5和1 Gy12C6+離子束輻照之後的生長變化,併運用AO/EB雙染檢測瞭輻照細胞24h後的凋亡情況.另外,利用8 mmol/L的咖啡因[抑製ATM(ataxia-telangiectasia,mumted)和ATR(ATM andRad3-related kinase)]和20 μmol/L的wortmannin[抑製ATM和DNA-PK(DNA-dependent protein kinase)]處理HeLa細胞後再進行1 Gy12C6+離子束輻照,通過western blot檢測p53的錶達.結果顯示,12C6+離子束輻照可造成HeLa細胞的DNA損傷,損傷隨劑量升高而升高但隨測定間隔時間降低,誘導HeLa細胞髮生凋亡;而且輻照後p53錶達升高.結果證明12C6+離子束輻照可造成HeLa細胞的DNA損傷併誘導損傷脩複及凋亡等效應,損傷效應相關因子p53被激活,併且激活依賴于ATM.
본문연구료HeLa세포경과12C6+리자속복조지후적DNA손상효응,급복조후p53격활적분자궤제.운용중성단세포전영기술,검측료HeLa세포경과4Gy12C6+리자속복조간격0、3、6화12 h지후DNA적손상정황,급0.5、1、2화4 Gy12C6+리자속복조후즉시적DNA손상정황.동시운용세포생장실시감측의감측료HeLa세포재경과0、0.5화1 Gy12C6+리자속복조지후적생장변화,병운용AO/EB쌍염검측료복조세포24h후적조망정황.령외,이용8 mmol/L적가배인[억제ATM(ataxia-telangiectasia,mumted)화ATR(ATM andRad3-related kinase)]화20 μmol/L적wortmannin[억제ATM화DNA-PK(DNA-dependent protein kinase)]처리HeLa세포후재진행1 Gy12C6+리자속복조,통과western blot검측p53적표체.결과현시,12C6+리자속복조가조성HeLa세포적DNA손상,손상수제량승고이승고단수측정간격시간강저,유도HeLa세포발생조망;이차복조후p53표체승고.결과증명12C6+리자속복조가조성HeLa세포적DNA손상병유도손상수복급조망등효응,손상효응상관인자p53피격활,병차격활의뢰우ATM.
