激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2009年
9期
948-951
,共4页
张国栋%徐淑丽%赵鸿燕%朱炳金%李小宏
張國棟%徐淑麗%趙鴻燕%硃炳金%李小宏
장국동%서숙려%조홍연%주병금%리소굉
InSb%感应耦合等离子%反应刻蚀%台面形貌%I-V曲线
InSb%感應耦閤等離子%反應刻蝕%檯麵形貌%I-V麯線
InSb%감응우합등리자%반응각식%태면형모%I-V곡선
利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析.采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70～90 nm/min,刻蚀台阶垂直度～80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低.与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀.台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320 x256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元(面积23 μm×23 μm)的动态阻抗(Rd)大于100 MΩ.
利用感應耦閤等離子(ICP)反應刻蝕(RIE)進行瞭InSb陣列芯片檯麵刻蝕,併利用輪廓儀、SEM及XRD對檯麵形貌以及刻蝕損傷進行分析.採用優化的ICP刻蝕參數,實現的刻蝕速率為70～90 nm/min,刻蝕檯階垂直度～80°,刻蝕錶麵平整光滑、損傷低.與常規的濕法腐蝕相比,明顯降低瞭側嚮鑽蝕.檯麵採用此反應刻蝕工藝,製備瞭具有理想I-V特性的320 x256 InSb探測陣列芯片,在-500 mV到零偏壓範圍內,光敏元(麵積23 μm×23 μm)的動態阻抗(Rd)大于100 MΩ.
이용감응우합등리자(ICP)반응각식(RIE)진행료InSb진렬심편태면각식,병이용륜곽의、SEM급XRD대태면형모이급각식손상진행분석.채용우화적ICP각식삼수,실현적각식속솔위70～90 nm/min,각식태계수직도～80°,각식표면평정광활、손상저.여상규적습법부식상비,명현강저료측향찬식.태면채용차반응각식공예,제비료구유이상I-V특성적320 x256 InSb탐측진렬심편,재-500 mV도령편압범위내,광민원(면적23 μm×23 μm)적동태조항(Rd)대우100 MΩ.
