微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
5期
718-722
,共5页
低噪声放大器%RFID%读写器%噪声抵消
低譟聲放大器%RFID%讀寫器%譟聲牴消
저조성방대기%RFID%독사기%조성저소
设计了一种用于UHF RFID读写器芯片的无电感低噪声放大器.该电路具有单端输入、差分输出的功能,噪声电压在差分输出端相位相同、幅度相等,噪声相互抵消;同时,使非线性项系数为0,提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm CMOS RF工艺流片,测得在915 MHz下噪声系数小于3.2 dB,1dB压缩点为-7 dBm,IIP3为3 dBm,S11为-12.8 dB,面积为0.036 mm2,功耗小于10 mW.
設計瞭一種用于UHF RFID讀寫器芯片的無電感低譟聲放大器.該電路具有單耑輸入、差分輸齣的功能,譟聲電壓在差分輸齣耑相位相同、幅度相等,譟聲相互牴消;同時,使非線性項繫數為0,提高瞭線性度.採用TSMC 0.18 μm CMOS RF工藝流片,測得在915 MHz下譟聲繫數小于3.2 dB,1dB壓縮點為-7 dBm,IIP3為3 dBm,S11為-12.8 dB,麵積為0.036 mm2,功耗小于10 mW.
설계료일충용우UHF RFID독사기심편적무전감저조성방대기.해전로구유단단수입、차분수출적공능,조성전압재차분수출단상위상동、폭도상등,조성상호저소;동시,사비선성항계수위0,제고료선성도.채용TSMC 0.18 μm CMOS RF공예류편,측득재915 MHz하조성계수소우3.2 dB,1dB압축점위-7 dBm,IIP3위3 dBm,S11위-12.8 dB,면적위0.036 mm2,공모소우10 mW.
