微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
7期
460-463
,共4页
孔祥东%韩立%初明璋%李建国
孔祥東%韓立%初明璋%李建國
공상동%한립%초명장%리건국
电子束%分子量%玻璃转换温度%吸收能量密度%剂量
電子束%分子量%玻璃轉換溫度%吸收能量密度%劑量
전자속%분자량%파리전환온도%흡수능량밀도%제량
提出了一种基于电子束曝光制备光滑曲面微结构的新技术.对聚合物玻璃转化温度与分子量之间的关系、分子量与电子束吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现聚合物玻璃转化温度随吸收能量密度的增加而减小.以此为依据,在FEI 820 DualBeam FIB/SEM系统上采用15 keV、不同剂量的电子束对S1805正性抗蚀剂微结构进行了曝光实验,得到了具有不同高度、轮廓清晰的光滑曲面微结构,为使用电子束曝光技术加工光滑曲面微结构提供了新工艺.
提齣瞭一種基于電子束曝光製備光滑麯麵微結構的新技術.對聚閤物玻璃轉化溫度與分子量之間的關繫、分子量與電子束吸收能量密度之間的關繫進行瞭理論分析,髮現聚閤物玻璃轉化溫度隨吸收能量密度的增加而減小.以此為依據,在FEI 820 DualBeam FIB/SEM繫統上採用15 keV、不同劑量的電子束對S1805正性抗蝕劑微結構進行瞭曝光實驗,得到瞭具有不同高度、輪廓清晰的光滑麯麵微結構,為使用電子束曝光技術加工光滑麯麵微結構提供瞭新工藝.
제출료일충기우전자속폭광제비광활곡면미결구적신기술.대취합물파리전화온도여분자량지간적관계、분자량여전자속흡수능량밀도지간적관계진행료이론분석,발현취합물파리전화온도수흡수능량밀도적증가이감소.이차위의거,재FEI 820 DualBeam FIB/SEM계통상채용15 keV、불동제량적전자속대S1805정성항식제미결구진행료폭광실험,득도료구유불동고도、륜곽청석적광활곡면미결구,위사용전자속폭광기술가공광활곡면미결구제공료신공예.
