人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
3期
599-604,610
,共7页
微晶硅薄膜%沉积速率%晶化率
微晶硅薄膜%沉積速率%晶化率
미정규박막%침적속솔%정화솔
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别在玻璃衬底和p型薄膜硅衬底上制备了微晶硅薄膜.使用拉曼谱仪、紫外-可见分光光度计、傅里叶红外光谱仪等对微晶硅薄膜进行检测,重点研究了硅烷浓度、衬底温度对薄膜沉积速率和晶化率的影响.实验结果表明:两种衬底上薄膜的沉积速率均随硅烷浓度的增大、衬底温度的升高而变大.硅烷浓度对两种衬底的薄膜晶化率影响规律相同,即均随其升高而降低；但两种衬底的衬底温度影响规律存在差别:对玻璃衬底而言,温度升高,样品晶化率减小；而p型薄膜硅衬底则在温度升高时,样品晶化率先增大后减小.此外还发现,晶化率与薄膜光学性能及含氧量存在较密切关联.
採用等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)法分彆在玻璃襯底和p型薄膜硅襯底上製備瞭微晶硅薄膜.使用拉曼譜儀、紫外-可見分光光度計、傅裏葉紅外光譜儀等對微晶硅薄膜進行檢測,重點研究瞭硅烷濃度、襯底溫度對薄膜沉積速率和晶化率的影響.實驗結果錶明:兩種襯底上薄膜的沉積速率均隨硅烷濃度的增大、襯底溫度的升高而變大.硅烷濃度對兩種襯底的薄膜晶化率影響規律相同,即均隨其升高而降低；但兩種襯底的襯底溫度影響規律存在差彆:對玻璃襯底而言,溫度升高,樣品晶化率減小；而p型薄膜硅襯底則在溫度升高時,樣品晶化率先增大後減小.此外還髮現,晶化率與薄膜光學性能及含氧量存在較密切關聯.
채용등리자체증강화학기상침적(PECVD)법분별재파리츤저화p형박막규츤저상제비료미정규박막.사용랍만보의、자외-가견분광광도계、부리협홍외광보의등대미정규박막진행검측,중점연구료규완농도、츤저온도대박막침적속솔화정화솔적영향.실험결과표명:량충츤저상박막적침적속솔균수규완농도적증대、츤저온도적승고이변대.규완농도대량충츤저적박막정화솔영향규률상동,즉균수기승고이강저；단량충츤저적츤저온도영향규률존재차별:대파리츤저이언,온도승고,양품정화솔감소；이p형박막규츤저칙재온도승고시,양품정화솔선증대후감소.차외환발현,정화솔여박막광학성능급함양량존재교밀절관련.
