微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
6期
820-823,829
,共5页
汤英%袁方%伍冬%沈延钊%许军
湯英%袁方%伍鼕%瀋延釗%許軍
탕영%원방%오동%침연쇠%허군
D/A转换器%电流源阵列%自校准%电流镜
D/A轉換器%電流源陣列%自校準%電流鏡
D/A전환기%전류원진렬%자교준%전류경
针对低功耗阵列中电流型D/A转换器的电流匹配精度进行研究.通过模拟校准技术和高精度RGC电流镜的使用,减小了阵列中工艺参数、温度、电学特性等因素的差异对电流匹配精度的影响.在Chartered 0.35μm工艺下,利用Hspice进行仿真.结果表明,在10 nA到1μA电流范围内,系统匹配精度大于96.5％,静态功耗低于213 μW,有效提高了电流的匹配精度.
針對低功耗陣列中電流型D/A轉換器的電流匹配精度進行研究.通過模擬校準技術和高精度RGC電流鏡的使用,減小瞭陣列中工藝參數、溫度、電學特性等因素的差異對電流匹配精度的影響.在Chartered 0.35μm工藝下,利用Hspice進行倣真.結果錶明,在10 nA到1μA電流範圍內,繫統匹配精度大于96.5％,靜態功耗低于213 μW,有效提高瞭電流的匹配精度.
침대저공모진렬중전류형D/A전환기적전류필배정도진행연구.통과모의교준기술화고정도RGC전류경적사용,감소료진렬중공예삼수、온도、전학특성등인소적차이대전류필배정도적영향.재Chartered 0.35μm공예하,이용Hspice진행방진.결과표명,재10 nA도1μA전류범위내,계통필배정도대우96.5％,정태공모저우213 μW,유효제고료전류적필배정도.
