中国科学技术大学学报
中國科學技術大學學報
중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2011年
1期
72-75
,共4页
Sb掺杂%低温PL谱%ZnO%A0X
Sb摻雜%低溫PL譜%ZnO%A0X
Sb참잡%저온PL보%ZnO%A0X
采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO:Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原子处于Zn原子的位置.利用低温及变温光致发光谱(PL)研究了ZnO:Sb薄膜的光学性质,观察到了与Sb有关的A0X发射,并且计算得到其受主能级为150 meV.分析认为掺Sb的ZnO薄膜中受主来源于SbZn-2VZn复合缺陷.
採用磁控濺射方法在6H-SiC單晶片上製備瞭銻(Sb)摻雜的氧化鋅(ZnO)薄膜.利用X射線衍射(XRD)和X射線光電子能譜(XPS)對樣品的結晶質量和成分進行瞭測試.結果錶明所得到的ZnO:Sb薄膜結晶質量良好,摻Sb濃度為原子數分數1%,併且摻入的Sb原子處于Zn原子的位置.利用低溫及變溫光緻髮光譜(PL)研究瞭ZnO:Sb薄膜的光學性質,觀察到瞭與Sb有關的A0X髮射,併且計算得到其受主能級為150 meV.分析認為摻Sb的ZnO薄膜中受主來源于SbZn-2VZn複閤缺陷.
채용자공천사방법재6H-SiC단정편상제비료제(Sb)참잡적양화자(ZnO)박막.이용X사선연사(XRD)화X사선광전자능보(XPS)대양품적결정질량화성분진행료측시.결과표명소득도적ZnO:Sb박막결정질량량호,참Sb농도위원자수분수1%,병차참입적Sb원자처우Zn원자적위치.이용저온급변온광치발광보(PL)연구료ZnO:Sb박막적광학성질,관찰도료여Sb유관적A0X발사,병차계산득도기수주능급위150 meV.분석인위참Sb적ZnO박막중수주래원우SbZn-2VZn복합결함.
