科协论坛（下半月）
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SCIENCE & TECHNOLOGY ASSOCIATION FORUM
2009年
7期
84,96
,共2页
外量子效率%表面粗糙化%光子晶体%光子准周期结构%纳米杆
外量子效率%錶麵粗糙化%光子晶體%光子準週期結構%納米桿
외양자효솔%표면조조화%광자정체%광자준주기결구%납미간
半导体固态照明采用InGaN基量子阱发光二极管(LED),不仅可以节省能源、减少污染,还具有体积小、寿命长等优点.但是LED外量子效率一直较低,文章介绍了LED芯片表面加工的各种微结构.如表面粗糙化结构,二维光子晶体结构,在p-GaN上生长纳米杆等.从而有效提高了LED外量子效率.
半導體固態照明採用InGaN基量子阱髮光二極管(LED),不僅可以節省能源、減少汙染,還具有體積小、壽命長等優點.但是LED外量子效率一直較低,文章介紹瞭LED芯片錶麵加工的各種微結構.如錶麵粗糙化結構,二維光子晶體結構,在p-GaN上生長納米桿等.從而有效提高瞭LED外量子效率.
반도체고태조명채용InGaN기양자정발광이겁관(LED),불부가이절성능원、감소오염,환구유체적소、수명장등우점.단시LED외양자효솔일직교저,문장개소료LED심편표면가공적각충미결구.여표면조조화결구,이유광자정체결구,재p-GaN상생장납미간등.종이유효제고료LED외양자효솔.
