微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
6期
757-760
,共4页
罗宏伟%肖庆中%路香香%石晓峰
囉宏偉%肖慶中%路香香%石曉峰
라굉위%초경중%로향향%석효봉
集成电路%传输线脉冲测试%ESD加固设计
集成電路%傳輸線脈遲測試%ESD加固設計
집성전로%전수선맥충측시%ESD가고설계
传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具.分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数.
傳輸線脈遲(TLP)測試是噹前電路設計工程師研究ESD保護器件特性和進行ESD加固設計的有力工具.分析瞭ESD應力作用下MOSFET的工作原理,指齣精確測試保護器件或電路在ESD大電流應力下的I-V特性麯線,提取特徵參數,將有利于ESD加固設計的一次成功;通過對典型TLP測試波形的分析,將TLP試驗與器件的大電流響應建立聯繫;最後對擴散電阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性進行瞭分析,併給齣瞭實際的設計參數.
전수선맥충(TLP)측시시당전전로설계공정사연구ESD보호기건특성화진행ESD가고설계적유력공구.분석료ESD응력작용하MOSFET적공작원리,지출정학측시보호기건혹전로재ESD대전류응력하적I-V특성곡선,제취특정삼수,장유리우ESD가고설계적일차성공;통과대전형TLP측시파형적분석,장TLP시험여기건적대전류향응건립련계;최후대확산전조화nMOSFET적TLP전형I-V특성진행료분석,병급출료실제적설계삼수.
