功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2008年
6期
995-1000
,共6页
杨志峰%陈静%孙佳胤%武爱民%王曦
楊誌峰%陳靜%孫佳胤%武愛民%王晞
양지봉%진정%손가윤%무애민%왕희
SOI%GaN%热膨胀系数%热应力
SOI%GaN%熱膨脹繫數%熱應力
SOI%GaN%열팽창계수%열응력
通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型.对具体样品的模拟计算表明,GaN层中张应力的值约为0.5GPa,曲率半径为9.1m.SOI结构中SiO2埋层以及顶层硅厚度变化对GaN层的热应力影响很小,但是对SOI自身各层中应力影响较大.通过合理简化模型,我们分析了蓝宝石基以及SiC基GaN生长中的热应力的分布问题.
通過分析SOI基GaN生長的機製,結閤熱膨脹繫數不同而產生應力的原理,利用彈性力學原理,我們對已有的計算多層結構應力的模型進行瞭簡化脩改,得到瞭能夠方便的計算SOI基GaN生長過程中的熱應力分佈的模型.對具體樣品的模擬計算錶明,GaN層中張應力的值約為0.5GPa,麯率半徑為9.1m.SOI結構中SiO2埋層以及頂層硅厚度變化對GaN層的熱應力影響很小,但是對SOI自身各層中應力影響較大.通過閤理簡化模型,我們分析瞭藍寶石基以及SiC基GaN生長中的熱應力的分佈問題.
통과분석SOI기GaN생장적궤제,결합열팽창계수불동이산생응력적원리,이용탄성역학원리,아문대이유적계산다층결구응력적모형진행료간화수개,득도료능구방편적계산SOI기GaN생장과정중적열응력분포적모형.대구체양품적모의계산표명,GaN층중장응력적치약위0.5GPa,곡솔반경위9.1m.SOI결구중SiO2매층이급정층규후도변화대GaN층적열응력영향흔소,단시대SOI자신각층중응력영향교대.통과합리간화모형,아문분석료람보석기이급SiC기GaN생장중적열응력적분포문제.
