浙江大学学报（工学版）
浙江大學學報（工學版）
절강대학학보（공학판）
JOURNAL OF ZHEJIANG UNIVERSITY(ENGINEERING SCIENCE)
2008年
10期
1715-1718
,共4页
等离子平板显示屏%扫描驱动集成电路%场氧栅%高压驱动电路
等離子平闆顯示屏%掃描驅動集成電路%場氧柵%高壓驅動電路
등리자평판현시병%소묘구동집성전로%장양책%고압구동전로
介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐压均超过165 v,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力.
介紹瞭等離子顯示闆(PDP)掃描驅動集成電路(IC)的結構和工作原理,提齣瞭一種與2.0μm標準CMOS工藝完全兼容的新型高壓BCD工藝.設計瞭新型場氧作厚柵HV-pMOS器件和薄柵氧HV-nVDMOS器件,開髮瞭一種新型的PDP掃描驅動集成電路.採用此工藝可以節省三箇光刻版、兩次註入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工藝,有效地降低工藝複雜度和生產成本.最終流片和測試結果錶明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐壓均超過165 v,達到繫統設計要求.噹電源電壓為90 V、負載為200 pF時,PDP掃描驅動芯片的上升沿和下降沿時間分彆為165和30ns,這充分驗證瞭芯片具有很彊的驅動電流能力.
개소료등리자현시판(PDP)소묘구동집성전로(IC)적결구화공작원리,제출료일충여2.0μm표준CMOS공예완전겸용적신형고압BCD공예.설계료신형장양작후책HV-pMOS기건화박책양HV-nVDMOS기건,개발료일충신형적PDP소묘구동집성전로.채용차공예가이절성삼개광각판、량차주입(HV-N정화PDA)화일차양화공예,유효지강저공예복잡도화생산성본.최종류편화측시결과표명,HV-nVDMOS화HV-pMOS관적내압균초과165 v,체도계통설계요구.당전원전압위90 V、부재위200 pF시,PDP소묘구동심편적상승연화하강연시간분별위165화30ns,저충분험증료심편구유흔강적구동전류능력.
