微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
11期
639-642
,共4页
刘波%袁凤坡%尹甲运%刘英斌%冯震%冯志宏
劉波%袁鳳坡%尹甲運%劉英斌%馮震%馮誌宏
류파%원봉파%윤갑운%류영빈%풍진%풍지굉
AlGaN%金属有机化学气相淀积%X射线衍射%原子力显微镜%透射光谱
AlGaN%金屬有機化學氣相澱積%X射線衍射%原子力顯微鏡%透射光譜
AlGaN%금속유궤화학기상정적%X사선연사%원자력현미경%투사광보
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料.通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料.AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为97",ω(102)面扫描曲线半高宽为870",Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为240";使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5μm×5μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度(Rms)为8.484 nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度为1.104nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收带边分别为205 nm和266 nm,且都非常陡峭.
報道瞭用MOCVD在藍寶石襯底上生長日盲型AlGaN基紫外探測器用的高質量AlN、AlGaN材料.通過優化AlN、AlGaN生長的工藝條件,如生長溫度、生長壓力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到瞭器件級高質量的AlN、AlGaN外延材料.AlN外延膜X射線雙晶衍射ω(002)麵掃描麯線半高寬為97",ω(102)麵掃描麯線半高寬為870",Al0.6Ga0.4N外延膜雙晶衍射ω(002)麵掃描麯線半高寬為240";使用原子力顯微鏡(AFM)對兩種樣品5μm×5μm區域的錶麵平整度進行瞭錶徵,AlN外延膜的粗糙度(Rms)為8.484 nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度為1.104nm;透射光譜測試顯示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收帶邊分彆為205 nm和266 nm,且都非常陡峭.
보도료용MOCVD재람보석츤저상생장일맹형AlGaN기자외탐측기용적고질량AlN、AlGaN재료.통과우화AlN、AlGaN생장적공예조건,여생장온도、생장압력급Ⅴ/Ⅲ비등,득도료기건급고질량적AlN、AlGaN외연재료.AlN외연막X사선쌍정연사ω(002)면소묘곡선반고관위97",ω(102)면소묘곡선반고관위870",Al0.6Ga0.4N외연막쌍정연사ω(002)면소묘곡선반고관위240";사용원자력현미경(AFM)대량충양품5μm×5μm구역적표면평정도진행료표정,AlN외연막적조조도(Rms)위8.484 nm,Al0.6Ga0.4N외연막적조조도위1.104nm;투사광보측시현시AlN화Al0.6Ga0.4N흡수대변분별위205 nm화266 nm,차도비상두초.
