科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2008年
15期
4326-4328,4334
,共4页
全耗尽%背照式%光电二极管列阵
全耗儘%揹照式%光電二極管列陣
전모진%배조식%광전이겁관렬진
在高电阻率的N型硅衬底上制作出全耗尽背照式的光电二极管.电阻率约为15 000 Ω·cm的硅衬底可以得到几百微米深的耗尽区,而通过在光电二极管的正背面施加一定的偏压就可以使其工作在全耗尽背照式的模式下.背面的浅结可以得到比较好的短波响应,而相对大的耗尽宽度可以在近红外处得到比较好的响应.测试结果表明器件在偏压为30 V时,1 μm处的峰值响应达到0.72 A/W,量子效率达90%.
在高電阻率的N型硅襯底上製作齣全耗儘揹照式的光電二極管.電阻率約為15 000 Ω·cm的硅襯底可以得到幾百微米深的耗儘區,而通過在光電二極管的正揹麵施加一定的偏壓就可以使其工作在全耗儘揹照式的模式下.揹麵的淺結可以得到比較好的短波響應,而相對大的耗儘寬度可以在近紅外處得到比較好的響應.測試結果錶明器件在偏壓為30 V時,1 μm處的峰值響應達到0.72 A/W,量子效率達90%.
재고전조솔적N형규츤저상제작출전모진배조식적광전이겁관.전조솔약위15 000 Ω·cm적규츤저가이득도궤백미미심적모진구,이통과재광전이겁관적정배면시가일정적편압취가이사기공작재전모진배조식적모식하.배면적천결가이득도비교호적단파향응,이상대대적모진관도가이재근홍외처득도비교호적향응.측시결과표명기건재편압위30 V시,1 μm처적봉치향응체도0.72 A/W,양자효솔체90%.
