硅酸盐通报
硅痠鹽通報
규산염통보
BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2008年
1期
67-70
,共4页
李盼来%庞立斌%高少杰%王志军%杨志平%熊志军
李盼來%龐立斌%高少傑%王誌軍%楊誌平%熊誌軍
리반래%방립빈%고소걸%왕지군%양지평%웅지군
Sr2SiO4:Bi3+%发光特性%Bi3+%电荷补偿
Sr2SiO4:Bi3+%髮光特性%Bi3+%電荷補償
Sr2SiO4:Bi3+%발광특성%Bi3+%전하보상
采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4:Bi3+发光材料.X射线衍射谱显示其为纯相的Sr2SiO4晶体.测量了Sr2SiO4∶ Bi3+材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一单峰宽带,主峰位于441nm处;监测441nm发射峰,所得材料的激发光谱为一主峰位于376nm处的单峰宽带.研究了Bi3+掺杂浓度对Sr2SiO4∶ Bi3+材料发射光谱的影响,结果显示,随Bi3+掺杂浓度的增大,Sr2SiO4∶ Bi3+材料的发射光谱峰值强度表现出先增大后减小的趋势,在Bi3+掺杂物质的量浓度为3%时,可获得最大的峰值强度.加入电荷补偿剂Li+、Na+和K+,均提高了Sr2SiO4∶ Bi3+材料发射光谱峰值强度,其中以加入Li+的情况最明显.
採用溶膠-凝膠法製備瞭Sr2SiO4:Bi3+髮光材料.X射線衍射譜顯示其為純相的Sr2SiO4晶體.測量瞭Sr2SiO4∶ Bi3+材料的激髮與髮射光譜,結果顯示,材料的髮射光譜為一單峰寬帶,主峰位于441nm處;鑑測441nm髮射峰,所得材料的激髮光譜為一主峰位于376nm處的單峰寬帶.研究瞭Bi3+摻雜濃度對Sr2SiO4∶ Bi3+材料髮射光譜的影響,結果顯示,隨Bi3+摻雜濃度的增大,Sr2SiO4∶ Bi3+材料的髮射光譜峰值彊度錶現齣先增大後減小的趨勢,在Bi3+摻雜物質的量濃度為3%時,可穫得最大的峰值彊度.加入電荷補償劑Li+、Na+和K+,均提高瞭Sr2SiO4∶ Bi3+材料髮射光譜峰值彊度,其中以加入Li+的情況最明顯.
채용용효-응효법제비료Sr2SiO4:Bi3+발광재료.X사선연사보현시기위순상적Sr2SiO4정체.측량료Sr2SiO4∶ Bi3+재료적격발여발사광보,결과현시,재료적발사광보위일단봉관대,주봉위우441nm처;감측441nm발사봉,소득재료적격발광보위일주봉위우376nm처적단봉관대.연구료Bi3+참잡농도대Sr2SiO4∶ Bi3+재료발사광보적영향,결과현시,수Bi3+참잡농도적증대,Sr2SiO4∶ Bi3+재료적발사광보봉치강도표현출선증대후감소적추세,재Bi3+참잡물질적량농도위3%시,가획득최대적봉치강도.가입전하보상제Li+、Na+화K+,균제고료Sr2SiO4∶ Bi3+재료발사광보봉치강도,기중이가입Li+적정황최명현.
