中国陶瓷
中國陶瓷
중국도자
CHINA CERAMICS
2007年
9期
20-22
,共3页
抛光砖污泥%SiC%氧化反应%发泡%MgO%MgCl2
拋光磚汙泥%SiC%氧化反應%髮泡%MgO%MgCl2
포광전오니%SiC%양화반응%발포%MgO%MgCl2
通过模拟焙烧研究了抛光砖污泥在高温焙烧时发泡的机理.实验结果表明,焙烧抛光砖污泥出现发泡是由于污泥中的SiC发生氧化反应,产生气体排出.而抛光磨头里的MgO、MgCl2加剧了SiC的氧化反应;另外,所含SiC越细,抛光砖烧结后的玻璃相越多,越容易促进SiC在较低的温度下发生氧化反应,使抛光砖污泥焙烧时更容易发泡.
通過模擬焙燒研究瞭拋光磚汙泥在高溫焙燒時髮泡的機理.實驗結果錶明,焙燒拋光磚汙泥齣現髮泡是由于汙泥中的SiC髮生氧化反應,產生氣體排齣.而拋光磨頭裏的MgO、MgCl2加劇瞭SiC的氧化反應;另外,所含SiC越細,拋光磚燒結後的玻璃相越多,越容易促進SiC在較低的溫度下髮生氧化反應,使拋光磚汙泥焙燒時更容易髮泡.
통과모의배소연구료포광전오니재고온배소시발포적궤리.실험결과표명,배소포광전오니출현발포시유우오니중적SiC발생양화반응,산생기체배출.이포광마두리적MgO、MgCl2가극료SiC적양화반응;령외,소함SiC월세,포광전소결후적파리상월다,월용역촉진SiC재교저적온도하발생양화반응,사포광전오니배소시경용역발포.
