CAJ | 학술논문

万方数据

红外技术 홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2007年 10期 570-572 ,共3页

赵鸿燕%司俊杰%丁嘉欣%成彩晶%张亮%张向锋%陈慧娟

조홍연%사준걸%정가흔%성채정%장량%장향봉%진혜연

AlGaN 肖特基二极管%理想因子%势垒高度 AlGaN 肖特基二極管%理想因子%勢壘高度
AlGaN 초특기이겁관%이상인자%세루고도

制备了高Al组分AlxGal-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化.计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度.退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689 eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2.
제비료고Al조분AlxGal-xN초특기이겁관(x≥0.4),병차연구료해이겁관재퇴화전후I-V특성적변화.계산료퇴화전후해기건적이상인자、세루고도.퇴화후세루고도유0.995 eV제고도1.1689 eV,이상인자유1.699증대위1.934,기건적접촉특성득도개선,재-5V시,암전류밀도감소위1.025×10-6 A/cm2.