半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
10期
875-877
,共3页
混合集成电路%内匹配%模块%功率放大
混閤集成電路%內匹配%模塊%功率放大
혼합집성전로%내필배%모괴%공솔방대
介绍了S频段微波脉冲功率放大器模块的设计方法和试验研制过程.利用内匹配技术,采用混合集成电路制作,将四级芯片集成到微型封装的金属密封管壳中,前两级芯片采用GaAsMMIC电路,第三级采用GaAs FET晶体管,末级采用Si双极型晶体管完成功率放大,结合了GaAs器件电路和Si器件电路的各自优点.在S波段、带宽300 MHz频率范围内试制出Gp≥45 dB,Po≥30 W的功率放大器模块,模块的体积为27 mm×18.5 mm×5 mm.
介紹瞭S頻段微波脈遲功率放大器模塊的設計方法和試驗研製過程.利用內匹配技術,採用混閤集成電路製作,將四級芯片集成到微型封裝的金屬密封管殼中,前兩級芯片採用GaAsMMIC電路,第三級採用GaAs FET晶體管,末級採用Si雙極型晶體管完成功率放大,結閤瞭GaAs器件電路和Si器件電路的各自優點.在S波段、帶寬300 MHz頻率範圍內試製齣Gp≥45 dB,Po≥30 W的功率放大器模塊,模塊的體積為27 mm×18.5 mm×5 mm.
개소료S빈단미파맥충공솔방대기모괴적설계방법화시험연제과정.이용내필배기술,채용혼합집성전로제작,장사급심편집성도미형봉장적금속밀봉관각중,전량급심편채용GaAsMMIC전로,제삼급채용GaAs FET정체관,말급채용Si쌍겁형정체관완성공솔방대,결합료GaAs기건전로화Si기건전로적각자우점.재S파단、대관300 MHz빈솔범위내시제출Gp≥45 dB,Po≥30 W적공솔방대기모괴,모괴적체적위27 mm×18.5 mm×5 mm.
