真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2007年
4期
53-55,73
,共4页
张小勇%陆艳杰%刘鑫%方针正%楚建新
張小勇%陸豔傑%劉鑫%方針正%楚建新
장소용%륙염걸%류흠%방침정%초건신
AlN%活性金属化%Ag-Cu-Ti钎料
AlN%活性金屬化%Ag-Cu-Ti釬料
AlN%활성금속화%Ag-Cu-Ti천료
对AlN陶瓷活性金属化Ag-Cu-Ti钎料配方及工艺进行了研究,发现该钎料浸润AlN陶瓷是活性组元Ti与AlN发生化学反应的结果.要获得良好的金属化质量,钎料中Ti含量应高于2.0%(质量比),金属化层与AlN反应界面厚度应控制在10～15 μm范围内.
對AlN陶瓷活性金屬化Ag-Cu-Ti釬料配方及工藝進行瞭研究,髮現該釬料浸潤AlN陶瓷是活性組元Ti與AlN髮生化學反應的結果.要穫得良好的金屬化質量,釬料中Ti含量應高于2.0%(質量比),金屬化層與AlN反應界麵厚度應控製在10～15 μm範圍內.
대AlN도자활성금속화Ag-Cu-Ti천료배방급공예진행료연구,발현해천료침윤AlN도자시활성조원Ti여AlN발생화학반응적결과.요획득량호적금속화질량,천료중Ti함량응고우2.0%(질량비),금속화층여AlN반응계면후도응공제재10～15 μm범위내.
