物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2006年
4期
507-512
,共6页
汤儆%马信洲%何辉忠%张力%林密旋%曲东升%丁庆勇%孙立宁
湯儆%馬信洲%何輝忠%張力%林密鏇%麯東升%丁慶勇%孫立寧
탕경%마신주%하휘충%장력%림밀선%곡동승%정경용%손립저
约束刻蚀剂层技术%微圆盘电极%L-胱氨酸%GaAs%浓度分布
約束刻蝕劑層技術%微圓盤電極%L-胱氨痠%GaAs%濃度分佈
약속각식제층기술%미원반전겁%L-광안산%GaAs%농도분포
利用微圆盘电极技术,测定了KBr、L-胱氨酸和硫酸组成的刻蚀溶液体系中Pt电极表面电化学氧化产生的刻蚀剂Br2度分布,为约束刻蚀剂层技术(CELT)中刻蚀体系的选择和优化提供更直观的依据.GaAs表面CELT微加工实验证明了用微圆盘电极测得的表面刻蚀剂的浓度分布趋势与微加工实验所得到的结果一致.
利用微圓盤電極技術,測定瞭KBr、L-胱氨痠和硫痠組成的刻蝕溶液體繫中Pt電極錶麵電化學氧化產生的刻蝕劑Br2度分佈,為約束刻蝕劑層技術(CELT)中刻蝕體繫的選擇和優化提供更直觀的依據.GaAs錶麵CELT微加工實驗證明瞭用微圓盤電極測得的錶麵刻蝕劑的濃度分佈趨勢與微加工實驗所得到的結果一緻.
이용미원반전겁기술,측정료KBr、L-광안산화류산조성적각식용액체계중Pt전겁표면전화학양화산생적각식제Br2도분포,위약속각식제층기술(CELT)중각식체계적선택화우화제공경직관적의거.GaAs표면CELT미가공실험증명료용미원반전겁측득적표면각식제적농도분포추세여미가공실험소득도적결과일치.
