半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
3期
545-550
,共6页
郭文阁%张延曹%郑建邦%任驹
郭文閣%張延曹%鄭建邦%任駒
곽문각%장연조%정건방%임구
肖特基二极管%气相沉积%有机薄膜%电容-频率
肖特基二極管%氣相沉積%有機薄膜%電容-頻率
초특기이겁관%기상침적%유궤박막%전용-빈솔
提出了一种简单有效的有机/金属肖特基二极管的制备方法:通过简单的真空气相沉积工艺,依次将有机材料PTCDA(C24H8O6)薄膜和金属电极Au蒸镀在透明导电玻璃ITO上.通过在室温条件下对该二极管的电流-电压(I-V)特性的测试发现,其整流系数可达104.根据标准肖特基理论以及实验所得电容-频率(C-f)和电容-电压(C-V)的测试结果,得到该有机肖特基势垒高度在0.2～0.3eV范围内.
提齣瞭一種簡單有效的有機/金屬肖特基二極管的製備方法:通過簡單的真空氣相沉積工藝,依次將有機材料PTCDA(C24H8O6)薄膜和金屬電極Au蒸鍍在透明導電玻璃ITO上.通過在室溫條件下對該二極管的電流-電壓(I-V)特性的測試髮現,其整流繫數可達104.根據標準肖特基理論以及實驗所得電容-頻率(C-f)和電容-電壓(C-V)的測試結果,得到該有機肖特基勢壘高度在0.2～0.3eV範圍內.
제출료일충간단유효적유궤/금속초특기이겁관적제비방법:통과간단적진공기상침적공예,의차장유궤재료PTCDA(C24H8O6)박막화금속전겁Au증도재투명도전파리ITO상.통과재실온조건하대해이겁관적전류-전압(I-V)특성적측시발현,기정류계수가체104.근거표준초특기이론이급실험소득전용-빈솔(C-f)화전용-전압(C-V)적측시결과,득도해유궤초특기세루고도재0.2～0.3eV범위내.
