真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2006年
1期
22-25
,共4页
王建波%娄朝刚%张晓兵%雷威
王建波%婁朝剛%張曉兵%雷威
왕건파%루조강%장효병%뢰위
CdS薄膜%水浴法%太阳能电池
CdS薄膜%水浴法%太暘能電池
CdS박막%수욕법%태양능전지
CdS是一种直接能隙半导体,其带隙约为2.42 eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料.化学水浴法沉积CdS薄膜具有工艺简单,成本低廉,成膜均匀、致密以及可大面积生产等优点.本文通过对化学水浴法沉积CdS薄膜的研究,阐述了CdS膜的生成和生长过程及其机理,并不断优化此方法中的各种工艺参数,得到了适合做铜铟镓硒薄膜太阳能电池过渡层的CdS薄膜,并对该薄膜的形貌、结构和性能进行了分析.
CdS是一種直接能隙半導體,其帶隙約為2.42 eV,是一種良好的太暘能電池窗口層材料和過渡層材料.化學水浴法沉積CdS薄膜具有工藝簡單,成本低廉,成膜均勻、緻密以及可大麵積生產等優點.本文通過對化學水浴法沉積CdS薄膜的研究,闡述瞭CdS膜的生成和生長過程及其機理,併不斷優化此方法中的各種工藝參數,得到瞭適閤做銅銦鎵硒薄膜太暘能電池過渡層的CdS薄膜,併對該薄膜的形貌、結構和性能進行瞭分析.
CdS시일충직접능극반도체,기대극약위2.42 eV,시일충량호적태양능전지창구층재료화과도층재료.화학수욕법침적CdS박막구유공예간단,성본저렴,성막균균、치밀이급가대면적생산등우점.본문통과대화학수욕법침적CdS박막적연구,천술료CdS막적생성화생장과정급기궤리,병불단우화차방법중적각충공예삼수,득도료괄합주동인가서박막태양능전지과도층적CdS박막,병대해박막적형모、결구화성능진행료분석.
