CAJ | 학술논문

文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响.XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5(CH3).如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留.光刻胶也会与H2发生反应,生成多种含C有机物.SiO2作掩模时,在一定的条件下,CH4会与SiO2或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜.
문장장ICP각식기술응용우각식HgCdTe,사용미구X사선광전자광보학(XPS)、소묘전자현미경(SEM)등표면분석기술연구료ICP각공예삼수,포괄ICP공솔、기체성분여배비、강체압력등대각식표면형모、각식후표면성분、취합물형성적영향.XPS분석결과발현,사용광각효작엄모시,각식기체CH4회여광각효발생반응,생성물가능위C6H5(CH3).여과강체압력교고,생성물불능급시피대주,취회부착재양품표면상,사양품표면발흑;당강체압력교저시,생성물피급시대주,칙양품표면광량,무취합물잔류.광각효야회여H2발생반응,생성다충함C유궤물.SiO2작엄모시,재일정적조건하,CH4회여SiO2혹자진공규지발생반응,생성취지박막.