高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2004年
1期
170-173
,共4页
张其震%殷晓颖%王大庆%李光%季怡萍%赵晓光
張其震%慇曉穎%王大慶%李光%季怡萍%趙曉光
장기진%은효영%왕대경%리광%계이평%조효광
树状化合物%向列相%液晶%碳硅烷%4-己氧基偶氮苯
樹狀化閤物%嚮列相%液晶%碳硅烷%4-己氧基偶氮苯
수상화합물%향렬상%액정%탄규완%4-기양기우담분
用发散法合成以四碳硅烷为核心, 周边含108个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的三代树状碳硅烷(D3)液晶, 并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和X射线衍射法(WAXD) 进行表征. D3为向列相液晶, 与 M3相同, 三代(D3)、二代(D2)和一代(D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定. D3的液晶态相行为是K79N136I132N, D3的熔点比M3的低19 ℃, D3的清亮点比M3的增加16 ℃, D3液晶态温区比M3宽35 ℃.
用髮散法閤成以四碳硅烷為覈心, 週邊含108箇己氧基偶氮苯介晶基元(M3)耑基的三代樹狀碳硅烷(D3)液晶, 併用元素分析、覈磁共振、激光解吸電離飛行時間質譜、紅外光譜、紫外光譜、偏光顯微鏡、差示掃描量熱(DSC)和X射線衍射法(WAXD) 進行錶徵. D3為嚮列相液晶, 與 M3相同, 三代(D3)、二代(D2)和一代(D1)樹狀物的相態由介晶基元的相態決定. D3的液晶態相行為是K79N136I132N, D3的鎔點比M3的低19 ℃, D3的清亮點比M3的增加16 ℃, D3液晶態溫區比M3寬35 ℃.
용발산법합성이사탄규완위핵심, 주변함108개기양기우담분개정기원(M3)단기적삼대수상탄규완(D3)액정, 병용원소분석、핵자공진、격광해흡전리비행시간질보、홍외광보、자외광보、편광현미경、차시소묘량열(DSC)화X사선연사법(WAXD) 진행표정. D3위향렬상액정, 여 M3상동, 삼대(D3)、이대(D2)화일대(D1)수상물적상태유개정기원적상태결정. D3적액정태상행위시K79N136I132N, D3적용점비M3적저19 ℃, D3적청량점비M3적증가16 ℃, D3액정태온구비M3관35 ℃.
