固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年
3期
320-325
,共6页
绝缘体基硅%金属氧化物半导体器件%高压%晶体管%伏安特性%浓度分布%数值模拟
絕緣體基硅%金屬氧化物半導體器件%高壓%晶體管%伏安特性%濃度分佈%數值模擬
절연체기규%금속양화물반도체기건%고압%정체관%복안특성%농도분포%수치모의
在不同漂移区浓度分布下,通过二维数值模拟充分地研究了薄膜SOI高压MOSFET击穿电压的浓度相关性,指出了击穿优化对MOSFET漂移区杂质浓度分布的要求.分析了MOSFET的电场电位分布随漏源电压的变化,提出寄生晶体管击穿有使SOI MOSFET击穿降低的作用.
在不同漂移區濃度分佈下,通過二維數值模擬充分地研究瞭薄膜SOI高壓MOSFET擊穿電壓的濃度相關性,指齣瞭擊穿優化對MOSFET漂移區雜質濃度分佈的要求.分析瞭MOSFET的電場電位分佈隨漏源電壓的變化,提齣寄生晶體管擊穿有使SOI MOSFET擊穿降低的作用.
재불동표이구농도분포하,통과이유수치모의충분지연구료박막SOI고압MOSFET격천전압적농도상관성,지출료격천우화대MOSFET표이구잡질농도분포적요구.분석료MOSFET적전장전위분포수루원전압적변화,제출기생정체관격천유사SOI MOSFET격천강저적작용.
