功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2000年
4期
369-371
,共3页
张砚华%范缇文%陈延杰%吴巨%陈诺夫%王占国
張硯華%範緹文%陳延傑%吳巨%陳諾伕%王佔國
장연화%범제문%진연걸%오거%진낙부%왕점국
热退火%低温MBE%GaAs%深能级中心
熱退火%低溫MBE%GaAs%深能級中心
열퇴화%저온MBE%GaAs%심능급중심
利用光致瞬态电流谱(Optical Transient Current Spectrum OTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响.实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大,特别ILT1/ILT3=C由退火前的C＞＞1到退火后C＜＜1,退火温度越高,C值越小,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷AsGa及砷间隙Asi相关的LT1能级浓度的下降,反之,与镓空位VGa相关的LT3能级浓度上升.另外经800℃,10min热退火后,在LT2峰处出现了负瞬态,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸,非共格砷沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的.
利用光緻瞬態電流譜(Optical Transient Current Spectrum OTCS)研究瞭熱退火對低溫分子束外延GaAs材料深中心的影響.實驗結果錶明原生和退火的LT-GaAs中都存在三箇主要的深中心LT1、LT2、LT3,退火後各峰的相對彊度變化很大,特彆ILT1/ILT3=C由退火前的C＞＞1到退火後C＜＜1,退火溫度越高,C值越小,這主要歸因于熱退火過程中砷的集聚與沉澱緻使與砷反位缺陷AsGa及砷間隙Asi相關的LT1能級濃度的下降,反之,與鎵空位VGa相關的LT3能級濃度上升.另外經800℃,10min熱退火後,在LT2峰處齣現瞭負瞬態,可能是由于高溫退火條件下形成的大呎吋,非共格砷沉澱與GaAs基體間的結構缺陷造成的.
이용광치순태전류보(Optical Transient Current Spectrum OTCS)연구료열퇴화대저온분자속외연GaAs재료심중심적영향.실험결과표명원생화퇴화적LT-GaAs중도존재삼개주요적심중심LT1、LT2、LT3,퇴화후각봉적상대강도변화흔대,특별ILT1/ILT3=C유퇴화전적C＞＞1도퇴화후C＜＜1,퇴화온도월고,C치월소,저주요귀인우열퇴화과정중신적집취여침정치사여신반위결함AsGa급신간극Asi상관적LT1능급농도적하강,반지,여가공위VGa상관적LT3능급농도상승.령외경800℃,10min열퇴화후,재LT2봉처출현료부순태,가능시유우고온퇴화조건하형성적대척촌,비공격신침정여GaAs기체간적결구결함조성적.
