稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2000年
3期
208-217
,共10页
砷化镓材料%器件%市场
砷化鎵材料%器件%市場
신화가재료%기건%시장
综述世界GaAs材料器件的产销情况、市场前景及GaAs材料的发展趋势. 预测2000年GaAs IC用于通讯将占GaAs IC市场的71%, 并以年均增长率15%的速度发展. 发光器件1999年增长12%, 其中激光器件增幅最大, 达16%. GaAs材料电子器件和光电器件的比例约为2∶3. 对大直径 (Φ76 mm以上)、低位错、低热应力、高质量的GaAs单晶有较大的需求量. VB、 VGF和VCZ是满足这些要求的最佳GaAs单晶生长方法.
綜述世界GaAs材料器件的產銷情況、市場前景及GaAs材料的髮展趨勢. 預測2000年GaAs IC用于通訊將佔GaAs IC市場的71%, 併以年均增長率15%的速度髮展. 髮光器件1999年增長12%, 其中激光器件增幅最大, 達16%. GaAs材料電子器件和光電器件的比例約為2∶3. 對大直徑 (Φ76 mm以上)、低位錯、低熱應力、高質量的GaAs單晶有較大的需求量. VB、 VGF和VCZ是滿足這些要求的最佳GaAs單晶生長方法.
종술세계GaAs재료기건적산소정황、시장전경급GaAs재료적발전추세. 예측2000년GaAs IC용우통신장점GaAs IC시장적71%, 병이년균증장솔15%적속도발전. 발광기건1999년증장12%, 기중격광기건증폭최대, 체16%. GaAs재료전자기건화광전기건적비례약위2∶3. 대대직경 (Φ76 mm이상)、저위착、저열응력、고질량적GaAs단정유교대적수구량. VB、 VGF화VCZ시만족저사요구적최가GaAs단정생장방법.
