电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2000年
1期
13-18
,共6页
高温%绝缘衬底上硅材料%互补金属氧化物半导体%倒相器
高溫%絕緣襯底上硅材料%互補金屬氧化物半導體%倒相器
고온%절연츤저상규재료%호보금속양화물반도체%도상기
在讨论薄膜SOIMOSFET高温性能和高温应用优越性的基础上,以高温应用为目标,对适用于高温SOICMOS倒相器的三种MOSFET组合结构进行了比较分析,最终确定了高温SOICMOS倒相器的MOSFET组合结构的选取原则.
在討論薄膜SOIMOSFET高溫性能和高溫應用優越性的基礎上,以高溫應用為目標,對適用于高溫SOICMOS倒相器的三種MOSFET組閤結構進行瞭比較分析,最終確定瞭高溫SOICMOS倒相器的MOSFET組閤結構的選取原則.
재토론박막SOIMOSFET고온성능화고온응용우월성적기출상,이고온응용위목표,대괄용우고온SOICMOS도상기적삼충MOSFET조합결구진행료비교분석,최종학정료고온SOICMOS도상기적MOSFET조합결구적선취원칙.
