压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2000年
5期
322-325
,共4页
刘彦松%王连卫%黄继颇%林成鲁
劉彥鬆%王連衛%黃繼頗%林成魯
류언송%왕련위%황계파%림성로
AlN%ZnO%缓冲层%PLD
AlN%ZnO%緩遲層%PLD
AlN%ZnO%완충층%PLD
采用脉冲激光淀积(PLD)技术,利用ZnO作为缓冲层,在Si(100)衬底上生长出AlN薄膜.X-射线衍射图谱表明,该AlN薄膜具有c轴取向特性.X-光电子能谱测试表明,要获得接近理想化学配比的AlN薄膜,需要高真空淀积气氛或合适的N2气氛;同时还表明,AlN薄膜表面容易形成保护性氧化层.剖面透射电子显微镜显微照相显示该AlN/ZnO/Si(100)多层结构清晰可辨,层与层之间的界面非常平整.原子力显微镜分析表明,采用ZnO缓冲层可改善AlN薄膜的表面粗糙度(RMS＝1nm).
採用脈遲激光澱積(PLD)技術,利用ZnO作為緩遲層,在Si(100)襯底上生長齣AlN薄膜.X-射線衍射圖譜錶明,該AlN薄膜具有c軸取嚮特性.X-光電子能譜測試錶明,要穫得接近理想化學配比的AlN薄膜,需要高真空澱積氣氛或閤適的N2氣氛;同時還錶明,AlN薄膜錶麵容易形成保護性氧化層.剖麵透射電子顯微鏡顯微照相顯示該AlN/ZnO/Si(100)多層結構清晰可辨,層與層之間的界麵非常平整.原子力顯微鏡分析錶明,採用ZnO緩遲層可改善AlN薄膜的錶麵粗糙度(RMS＝1nm).
채용맥충격광정적(PLD)기술,이용ZnO작위완충층,재Si(100)츤저상생장출AlN박막.X-사선연사도보표명,해AlN박막구유c축취향특성.X-광전자능보측시표명,요획득접근이상화학배비적AlN박막,수요고진공정적기분혹합괄적N2기분;동시환표명,AlN박막표면용역형성보호성양화층.부면투사전자현미경현미조상현시해AlN/ZnO/Si(100)다층결구청석가변,층여층지간적계면비상평정.원자력현미경분석표명,채용ZnO완충층가개선AlN박막적표면조조도(RMS＝1nm).
