电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
1999年
5期
17-19
,共3页
朱盈权%国营第%侍刚%何海清%祝炳和
硃盈權%國營第%侍剛%何海清%祝炳和
주영권%국영제%시강%하해청%축병화
PTC热敏电阻%电性能%碳酸钙%理化指标
PTC熱敏電阻%電性能%碳痠鈣%理化指標
PTC열민전조%전성능%탄산개%이화지표
研究了碳酸钙对BaTiO3系PTC热敏电阻电性能的影响.结果表明,随着钙加入量的增加,BaTiO3的低温相变点,移向更低的温度;促进烧成时芯片的致密化;使BaTiO3晶粒尺寸几乎呈线性下降;使晶粒、晶界电阻下降;α、Rmax/Rmin无大的变化,ρ25增大,Vb提高.碳酸钙的理化指标,对PTC热敏电阻电性能也有很大影响,据此推荐了BaTiO3系PTC热敏电阻用CaCO3的技术标准.
研究瞭碳痠鈣對BaTiO3繫PTC熱敏電阻電性能的影響.結果錶明,隨著鈣加入量的增加,BaTiO3的低溫相變點,移嚮更低的溫度;促進燒成時芯片的緻密化;使BaTiO3晶粒呎吋幾乎呈線性下降;使晶粒、晶界電阻下降;α、Rmax/Rmin無大的變化,ρ25增大,Vb提高.碳痠鈣的理化指標,對PTC熱敏電阻電性能也有很大影響,據此推薦瞭BaTiO3繫PTC熱敏電阻用CaCO3的技術標準.
연구료탄산개대BaTiO3계PTC열민전조전성능적영향.결과표명,수착개가입량적증가,BaTiO3적저온상변점,이향경저적온도;촉진소성시심편적치밀화;사BaTiO3정립척촌궤호정선성하강;사정립、정계전조하강;α、Rmax/Rmin무대적변화,ρ25증대,Vb제고.탄산개적이화지표,대PTC열민전조전성능야유흔대영향,거차추천료BaTiO3계PTC열민전조용CaCO3적기술표준.
