半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
1期
54-57
,共4页
崔灿%杨德仁%余学功%马向阳%李立本%阙端麟
崔燦%楊德仁%餘學功%馬嚮暘%李立本%闕耑麟
최찬%양덕인%여학공%마향양%리립본%궐단린
直拉硅%少子寿命%钝化%氧沉淀
直拉硅%少子壽命%鈍化%氧沉澱
직랍규%소자수명%둔화%양침정
用高频光电导衰减法(PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响.在700～1100℃范围热氧化不同时间(0.5～4h)对直拉硅片表面进行钝化,实验结果表明,在1000℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好;而且发现热氧化1.5h后硅片的少子寿命值达到最大值,接近于其真实值,而随着热氧化时间的延长(＞1.5h)少子寿命将会降低,这是由于直拉硅中过饱和的氧会沉淀下来形成氧沉淀,成为新的少子复合中心.
用高頻光電導衰減法(PCD)研究瞭熱氧化鈍化對直拉硅少子壽命的影響.在700～1100℃範圍熱氧化不同時間(0.5～4h)對直拉硅片錶麵進行鈍化,實驗結果錶明,在1000℃下熱氧化對硅片錶麵鈍化的效果最好;而且髮現熱氧化1.5h後硅片的少子壽命值達到最大值,接近于其真實值,而隨著熱氧化時間的延長(＞1.5h)少子壽命將會降低,這是由于直拉硅中過飽和的氧會沉澱下來形成氧沉澱,成為新的少子複閤中心.
용고빈광전도쇠감법(PCD)연구료열양화둔화대직랍규소자수명적영향.재700～1100℃범위열양화불동시간(0.5～4h)대직랍규편표면진행둔화,실험결과표명,재1000℃하열양화대규편표면둔화적효과최호;이차발현열양화1.5h후규편적소자수명치체도최대치,접근우기진실치,이수착열양화시간적연장(＞1.5h)소자수명장회강저,저시유우직랍규중과포화적양회침정하래형성양침정,성위신적소자복합중심.
