人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2002年
5期
460-463
,共4页
La:PbWO4%密度泛函%吸收中心%态密度分布
La:PbWO4%密度汎函%吸收中心%態密度分佈
La:PbWO4%밀도범함%흡수중심%태밀도분포
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4晶体中相对缺陷的电子态密度分布,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制.发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式.缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能的计算结果表明:掺镧晶体不会引起420nm和350nm的吸收,改善了PbWO4晶体中的两个本征吸收带.掺杂后晶体中O2p→W5d的跃迁能量为3.98eV.
採用基于密度汎函理論的相對論性離散變分和嵌入糰簇方法計算瞭摻鑭PbWO4晶體中相對缺陷的電子態密度分佈,併討論瞭相關缺陷的電荷補償機製.髮現VPb是摻鑭鎢痠鉛晶體中主要的電荷補償方式.缺陷態LaPb+VPb的態密度分佈以及其激髮能的計算結果錶明:摻鑭晶體不會引起420nm和350nm的吸收,改善瞭PbWO4晶體中的兩箇本徵吸收帶.摻雜後晶體中O2p→W5d的躍遷能量為3.98eV.
채용기우밀도범함이론적상대론성리산변분화감입단족방법계산료참란PbWO4정체중상대결함적전자태밀도분포,병토론료상관결함적전하보상궤제.발현VPb시참란오산연정체중주요적전하보상방식.결함태LaPb+VPb적태밀도분포이급기격발능적계산결과표명:참란정체불회인기420nm화350nm적흡수,개선료PbWO4정체중적량개본정흡수대.참잡후정체중O2p→W5d적약천능량위3.98eV.
