原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2002年
4期
458-461
,共4页
离子束增强%铜膜%离子源
離子束增彊%銅膜%離子源
리자속증강%동막%리자원
采用离子束增强沉积(IBED)铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构,比采用电子束蒸镀钛-铜多层膜结构工艺简单,且不增加光刻腐蚀工艺难度,铜膜沉积于低表面粗糙度(Ry≤0.1 μm)的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜-基附着力.实验证明:IBED铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合的制膜方法是目前几种制造器件的工艺方法中最佳制膜工艺方法.
採用離子束增彊沉積(IBED)銅過渡層和電子束蒸鍍銅膜結閤製備的單質膜結構,比採用電子束蒸鍍鈦-銅多層膜結構工藝簡單,且不增加光刻腐蝕工藝難度,銅膜沉積于低錶麵粗糙度(Ry≤0.1 μm)的氧化鋁陶瓷基片錶麵穫得瞭良好的膜-基附著力.實驗證明:IBED銅過渡層和電子束蒸鍍銅膜結閤的製膜方法是目前幾種製造器件的工藝方法中最佳製膜工藝方法.
채용리자속증강침적(IBED)동과도층화전자속증도동막결합제비적단질막결구,비채용전자속증도태-동다층막결구공예간단,차불증가광각부식공예난도,동막침적우저표면조조도(Ry≤0.1 μm)적양화려도자기편표면획득료량호적막-기부착력.실험증명:IBED동과도층화전자속증도동막결합적제막방법시목전궤충제조기건적공예방법중최가제막공예방법.
