固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
3期
323-325
,共3页
张国强%郭旗%陆妩%余学锋%任迪远%严荣良
張國彊%郭旂%陸嫵%餘學鋒%任迪遠%嚴榮良
장국강%곽기%륙무%여학봉%임적원%엄영량
氮%金属-氧化物-半导体%X光电子谱%辐射%结键
氮%金屬-氧化物-半導體%X光電子譜%輻射%結鍵
담%금속-양화물-반도체%X광전자보%복사%결건
借助于XPS分析技术,首次研究了MOS结构栅SiO2中引入N后的结键模式.结果表明,N主要以Si-N而非Si-O-N结键形式存在于栅SiO2中.含N MOS介质抗辐射/热载流子损伤能力得以提高的根本原因是Si-N结键替换部分对辐射敏感的Si-O应力键.
藉助于XPS分析技術,首次研究瞭MOS結構柵SiO2中引入N後的結鍵模式.結果錶明,N主要以Si-N而非Si-O-N結鍵形式存在于柵SiO2中.含N MOS介質抗輻射/熱載流子損傷能力得以提高的根本原因是Si-N結鍵替換部分對輻射敏感的Si-O應力鍵.
차조우XPS분석기술,수차연구료MOS결구책SiO2중인입N후적결건모식.결과표명,N주요이Si-N이비Si-O-N결건형식존재우책SiO2중.함N MOS개질항복사/열재류자손상능력득이제고적근본원인시Si-N결건체환부분대복사민감적Si-O응력건.
