半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
7期
871-874
,共4页
郑望%陈猛%陈静%林梓鑫%王曦
鄭望%陳猛%陳靜%林梓鑫%王晞
정망%진맹%진정%림재흠%왕희
SOI%缺陷%Secco
SOI%缺陷%Secco
SOI%결함%Secco
用增强化学腐蚀法研究了低剂量SIMOX-SOI材料表层硅质量与实验参数的关系.结果表明,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响.通过对注入剂量和能量的优化,表层硅线缺陷密度可低于104cm-2.在注入能量为160keV时,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为5.5×1017cm-2左右,当注入剂量为4.5×1017cm-2,获得低线缺陷密度对应的注入能量为130keV.
用增彊化學腐蝕法研究瞭低劑量SIMOX-SOI材料錶層硅質量與實驗參數的關繫.結果錶明,註入劑量和能量對錶層硅質量有明顯影響.通過對註入劑量和能量的優化,錶層硅線缺陷密度可低于104cm-2.在註入能量為160keV時,穫得低線缺陷密度對應的註入劑量為5.5×1017cm-2左右,噹註入劑量為4.5×1017cm-2,穫得低線缺陷密度對應的註入能量為130keV.
용증강화학부식법연구료저제량SIMOX-SOI재료표층규질량여실험삼수적관계.결과표명,주입제량화능량대표층규질량유명현영향.통과대주입제량화능량적우화,표층규선결함밀도가저우104cm-2.재주입능량위160keV시,획득저선결함밀도대응적주입제량위5.5×1017cm-2좌우,당주입제량위4.5×1017cm-2,획득저선결함밀도대응적주입능량위130keV.
