半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
8期
1052-1056
,共5页
王姝睿%刘忠立%徐萍%葛永才%姚文卿%高翠华
王姝睿%劉忠立%徐萍%葛永纔%姚文卿%高翠華
왕주예%류충립%서평%갈영재%요문경%고취화
碳化硅%肖特基势垒二极管%6H-SiC
碳化硅%肖特基勢壘二極管%6H-SiC
탄화규%초특기세루이겁관%6H-SiC
在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发,制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管．测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性：反向击穿电压约为450V,室温下，反向电压VR=-200V时,反向漏电流JL=5×10-4A*cm-2；理想因子为1.09,肖特基势垒高度为1.24—1.26eV，开启电压约为0.8V．
在可商業穫得的N型6H-SiC晶片上，通過化學氣相澱積，進行同質外延生長，在此結構材料上，通過熱蒸髮,製作Ni/6H-SiC肖特基勢壘二極管．測量併分析瞭肖特基二極管的電學特性，結果錶明，肖特基二極管具有較好的整流特性：反嚮擊穿電壓約為450V,室溫下，反嚮電壓VR=-200V時,反嚮漏電流JL=5×10-4A*cm-2；理想因子為1.09,肖特基勢壘高度為1.24—1.26eV，開啟電壓約為0.8V．
재가상업획득적N형6H-SiC정편상，통과화학기상정적，진행동질외연생장，재차결구재료상，통과열증발,제작Ni/6H-SiC초특기세루이겁관．측량병분석료초특기이겁관적전학특성，결과표명，초특기이겁관구유교호적정류특성：반향격천전압약위450V,실온하，반향전압VR=-200V시,반향루전류JL=5×10-4A*cm-2；이상인자위1.09,초특기세루고도위1.24—1.26eV，개계전압약위0.8V．
