半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
9期
1131-1134
,共4页
沈今楷%吴兴龙%袁仁宽%谭超%鲍希茂
瀋今楷%吳興龍%袁仁寬%譚超%鮑希茂
침금해%오흥룡%원인관%담초%포희무
光致发光%磁控溅射%傅里叶变换红外吸收谱
光緻髮光%磁控濺射%傅裏葉變換紅外吸收譜
광치발광%자공천사%부리협변환홍외흡수보
Ge-SiO2共溅射薄膜分别在O2、N2和空气中退火后,在Xe灯250nm线激发下,均观测到位于400和300nm的紫、紫外光发射(PL).傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)表明,这两个PL峰与锗氧化物紧密相关.进一步的光致发光激发谱(PLE)则证实它们来源于GeO色心的光学跃迁.对比不同退火气氛下的PL强度,发现最强的光发射出现在800℃氧气里退火的样品中.这表明,退火气氛中氧的存在,能够增强Ge-SiO2共溅射薄膜的紫、紫外光发射,是一种增强光发射强度的新途径.
Ge-SiO2共濺射薄膜分彆在O2、N2和空氣中退火後,在Xe燈250nm線激髮下,均觀測到位于400和300nm的紫、紫外光髮射(PL).傅裏葉變換紅外吸收譜(FT-IR)錶明,這兩箇PL峰與鍺氧化物緊密相關.進一步的光緻髮光激髮譜(PLE)則證實它們來源于GeO色心的光學躍遷.對比不同退火氣氛下的PL彊度,髮現最彊的光髮射齣現在800℃氧氣裏退火的樣品中.這錶明,退火氣氛中氧的存在,能夠增彊Ge-SiO2共濺射薄膜的紫、紫外光髮射,是一種增彊光髮射彊度的新途徑.
Ge-SiO2공천사박막분별재O2、N2화공기중퇴화후,재Xe등250nm선격발하,균관측도위우400화300nm적자、자외광발사(PL).부리협변환홍외흡수보(FT-IR)표명,저량개PL봉여타양화물긴밀상관.진일보적광치발광격발보(PLE)칙증실타문래원우GeO색심적광학약천.대비불동퇴화기분하적PL강도,발현최강적광발사출현재800℃양기리퇴화적양품중.저표명,퇴화기분중양적존재,능구증강Ge-SiO2공천사박막적자、자외광발사,시일충증강광발사강도적신도경.
