高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
고분변솔X사선연사연구InGaN/GaN다양자정결구In조분급후도
High-resolution X-ray diffraction studies on the indium content and layer thicknesses in InGaN/GaN multiquantum wells
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2008年 8期 1259-1260,1263 ,共3页

    李弋%刘斌%谢自力%张荣%修向前%江若琏%韩平%顾书林%施毅%郑有炓

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    InGaN/GaN%다양자정%In조분%X사선연사
    应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构.测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态.由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比.最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm.
    응용고분변X사선연사기술연구료MOCVD재보석츤저상생장적InGaN/GaN다양자정결구.측량(105)비대칭면적도역공간도획득양자정결구적응변상태.유(002)면삼축연사0급위성봉봉위결합응변상황계산획득InGaN층중In함량,종(002)면적ω/2θ연사보이급소각반사보획득다양자정적일개주기적후도,GaN층화InGaN층적후도비.최후통과X사선동역학의합적방법종(002)면적ω/2θ삼축연사보획득In적정학함량시25.5%,InGaN세정층적정학후도시1.67nm,GaN조당층적정학후도시22.80nm.
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