半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
10期
965-967
,共3页
重掺砷%外延层%衬底%杂质%电阻率
重摻砷%外延層%襯底%雜質%電阻率
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As重掺杂Si片的电阻率可低到10-3 Ω·cm,可用作外延片的衬底材料,对于正向压降低的半导体器件来说,用这类外延片制作器件是最恰当的选择.As重掺杂Sj片在外延时容易产生气相自掺杂,尤其是同型外延时还存在固态外扩散现象,在整个制作器件过程中易产生工艺参数偏差,导致器件性能下降,严重时器件失效,当然衬底材料也可以选用价格较高的背处理工艺Si片,能有效地抑制由于后续加工工艺产生的许多缺陷.对某生产厂生产的一批器件电参数性能下降的原因进行了剖析,分析阐明了以As重掺杂Si片为衬底的外延片中衬底杂质对器件质量的影响.
As重摻雜Si片的電阻率可低到10-3 Ω·cm,可用作外延片的襯底材料,對于正嚮壓降低的半導體器件來說,用這類外延片製作器件是最恰噹的選擇.As重摻雜Sj片在外延時容易產生氣相自摻雜,尤其是同型外延時還存在固態外擴散現象,在整箇製作器件過程中易產生工藝參數偏差,導緻器件性能下降,嚴重時器件失效,噹然襯底材料也可以選用價格較高的揹處理工藝Si片,能有效地抑製由于後續加工工藝產生的許多缺陷.對某生產廠生產的一批器件電參數性能下降的原因進行瞭剖析,分析闡明瞭以As重摻雜Si片為襯底的外延片中襯底雜質對器件質量的影響.
As중참잡Si편적전조솔가저도10-3 Ω·cm,가용작외연편적츤저재료,대우정향압강저적반도체기건래설,용저류외연편제작기건시최흡당적선택.As중참잡Sj편재외연시용역산생기상자참잡,우기시동형외연시환존재고태외확산현상,재정개제작기건과정중역산생공예삼수편차,도치기건성능하강,엄중시기건실효,당연츤저재료야가이선용개격교고적배처리공예Si편,능유효지억제유우후속가공공예산생적허다결함.대모생산엄생산적일비기건전삼수성능하강적원인진행료부석,분석천명료이As중참잡Si편위츤저적외연편중츤저잡질대기건질량적영향.
