CAJ | 학술논문

近年来,掺硼金刚石(BDD)膜因具备独特的优异性能而作为电极材料已经受到很大的关注.本文通过MPCVD法在高掺杂硅衬底上生长掺硼金刚石膜,并用四探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对其进行了检测,发现所制备的掺硼金刚石膜电导率达10-2Ω·cm,同时发现金刚石膜质量因硼原子的掺入而有所下降,采用循环伏安法研究其电化学性质.结果表明,与Pt电极相比(1.8V和-1×10-3～3×10-4A),BDD电极具有很宽的电化学窗口(2.8～3.2V),较低的背景电流(-3×10-6～2×1O-6A);选用高掺杂的硅作基底使导线从导电基底接入,能够为Si/BDD电极提供更多工作面积从而节约制备成本;在铁氰化钾电解液中,表面所进行的电化学反应具有较好的准可逆性,并且电极表面具有较好的稳定性.对有机物苯酚的催化氧化检测发现:与Pt电极相比,BDD电极氧化能力强,且氧化产物简单彻底,因此可以作为一种理想的电极材料.
근년래,참붕금강석(BDD)막인구비독특적우이성능이작위전겁재료이경수도흔대적관주.본문통과MPCVD법재고참잡규츤저상생장참붕금강석막,병용사탐침、소묘전경、격광랍만화전화학공작참대기진행료검측,발현소제비적참붕금강석막전도솔체10-2Ω·cm,동시발현금강석막질량인붕원자적참입이유소하강,채용순배복안법연구기전화학성질.결과표명,여Pt전겁상비(1.8V화-1×10-3～3×10-4A),BDD전겁구유흔관적전화학창구(2.8～3.2V),교저적배경전류(-3×10-6～2×1O-6A);선용고참잡적규작기저사도선종도전기저접입,능구위Si/BDD전겁제공경다공작면적종이절약제비성본;재철청화갑전해액중,표면소진행적전화학반응구유교호적준가역성,병차전겁표면구유교호적은정성.대유궤물분분적최화양화검측발현:여Pt전겁상비,BDD전겁양화능력강,차양화산물간단철저,인차가이작위일충이상적전겁재료.