红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2011年
5期
791-794
,共4页
异质结光敏晶体管%Ge量子点%多晶硅发射极%超高真空化学气相淀积
異質結光敏晶體管%Ge量子點%多晶硅髮射極%超高真空化學氣相澱積
이질결광민정체관%Ge양자점%다정규발사겁%초고진공화학기상정적
异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容.利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)方法在HBT晶体管的基区和集电区间加入多层Ge量子点材料作为光吸收区.TEM和DCXRD测试结果表明,生长的多层Ge量子点材料具有良好的晶体质量.为了提高HPT的发射极注入效率,采用高掺杂多晶硅作为发射极,并制作出两端HPT型Ge量子点探测器.室温条件下的测试结果表明,HPT型量子点探测器具有低的暗电流密度和高的反向击穿电压.-8V偏压下,HPT型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别为4.47mA/W和0.11mA/W.与纵向PIN结构量子点探测器相比,HPT型量子点探测器在1.31μm 和1.55 μm处的响应度分别提高了104倍和78倍.
異質結光敏晶體管(HPT)是一種具有內部電流增益的光電探測器,且與異質結雙極晶體管(HBT)的製作工藝完全兼容.利用超高真空化學氣相澱積(UHV/CVD)方法在HBT晶體管的基區和集電區間加入多層Ge量子點材料作為光吸收區.TEM和DCXRD測試結果錶明,生長的多層Ge量子點材料具有良好的晶體質量.為瞭提高HPT的髮射極註入效率,採用高摻雜多晶硅作為髮射極,併製作齣兩耑HPT型Ge量子點探測器.室溫條件下的測試結果錶明,HPT型量子點探測器具有低的暗電流密度和高的反嚮擊穿電壓.-8V偏壓下,HPT型量子點探測器在1.31μm和1.55μm處的響應度分彆為4.47mA/W和0.11mA/W.與縱嚮PIN結構量子點探測器相比,HPT型量子點探測器在1.31μm 和1.55 μm處的響應度分彆提高瞭104倍和78倍.
이질결광민정체관(HPT)시일충구유내부전류증익적광전탐측기,차여이질결쌍겁정체관(HBT)적제작공예완전겸용.이용초고진공화학기상정적(UHV/CVD)방법재HBT정체관적기구화집전구간가입다층Ge양자점재료작위광흡수구.TEM화DCXRD측시결과표명,생장적다층Ge양자점재료구유량호적정체질량.위료제고HPT적발사겁주입효솔,채용고참잡다정규작위발사겁,병제작출량단HPT형Ge양자점탐측기.실온조건하적측시결과표명,HPT형양자점탐측기구유저적암전류밀도화고적반향격천전압.-8V편압하,HPT형양자점탐측기재1.31μm화1.55μm처적향응도분별위4.47mA/W화0.11mA/W.여종향PIN결구양자점탐측기상비,HPT형양자점탐측기재1.31μm 화1.55 μm처적향응도분별제고료104배화78배.
