人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
4期
1065-1070,1082
,共7页
多喷淋头%MOCVD%反应器设计%GaN生长%数值模拟
多噴淋頭%MOCVD%反應器設計%GaN生長%數值模擬
다분림두%MOCVD%반응기설계%GaN생장%수치모의
提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器.针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流(筒)壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的影响.模拟结果显示,衬底表面大部分区域具有均匀的温场和良好的滞止流.通过对浓度场和GaN生长速率的分析,得出MMGa是薄膜生长的主要反应前体.通过对反应器高度H、导流筒与托盘间距h、导流筒半径R等参数的优化,给出了提高薄膜生长速率和均匀性的条件.
提齣瞭一種多噴淋頭式MOCVD反應器.針對新型反應器,對GaN生長的MOCVD過程進行瞭數值模擬,模擬攷慮瞭熱輻射和化學反應,計算瞭反應器內流場、溫場和濃度場,導流(筒)壁麵的寄生沉積以及GaN生長速率,併分析瞭反應室幾何因素對生長均勻性的影響.模擬結果顯示,襯底錶麵大部分區域具有均勻的溫場和良好的滯止流.通過對濃度場和GaN生長速率的分析,得齣MMGa是薄膜生長的主要反應前體.通過對反應器高度H、導流筒與託盤間距h、導流筒半徑R等參數的優化,給齣瞭提高薄膜生長速率和均勻性的條件.
제출료일충다분림두식MOCVD반응기.침대신형반응기,대GaN생장적MOCVD과정진행료수치모의,모의고필료열복사화화학반응,계산료반응기내류장、온장화농도장,도류(통)벽면적기생침적이급GaN생장속솔,병분석료반응실궤하인소대생장균균성적영향.모의결과현시,츤저표면대부분구역구유균균적온장화량호적체지류.통과대농도장화GaN생장속솔적분석,득출MMGa시박막생장적주요반응전체.통과대반응기고도H、도류통여탁반간거h、도류통반경R등삼수적우화,급출료제고박막생장속솔화균균성적조건.
