红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2011年
6期
490-494
,共5页
沈川%顾仁杰%傅祥良%王伟强%郭余英%陈路
瀋川%顧仁傑%傅祥良%王偉彊%郭餘英%陳路
침천%고인걸%부상량%왕위강%곽여영%진로
碲镉汞%热退火%位错%分子束外延
碲鎘汞%熱退火%位錯%分子束外延
제력홍%열퇴화%위착%분자속외연
基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论,修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究,实验结果与理论曲线基本吻合,从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料体内位错的抑制作用.对于厚度为4～10μnn的CdTe/Si进行500℃快速退火1 min,可使位错密度降低0.5～1个数量级,最好结果为2.5×105 cm-2.
基于GaAs/Si材料中位錯的運動反應理論,脩正穫得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位錯運動反應模型.採用快速退火方法對Si基HgCdTe外延材料進行位錯抑製實驗研究,實驗結果與理論麯線基本吻閤,從理論角度解釋瞭不同高溫熱處理條件對材料體內位錯的抑製作用.對于厚度為4～10μnn的CdTe/Si進行500℃快速退火1 min,可使位錯密度降低0.5～1箇數量級,最好結果為2.5×105 cm-2.
기우GaAs/Si재료중위착적운동반응이론,수정획득CdTe/Si화HgCdTe/Si외연재료중적위착운동반응모형.채용쾌속퇴화방법대Si기HgCdTe외연재료진행위착억제실험연구,실험결과여이론곡선기본문합,종이론각도해석료불동고온열처리조건대재료체내위착적억제작용.대우후도위4～10μnn적CdTe/Si진행500℃쾌속퇴화1 min,가사위착밀도강저0.5～1개수량급,최호결과위2.5×105 cm-2.
