微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2002年
6期
435-437
,共3页
混合集成电路%厚膜工艺%光刻%平面螺旋电感
混閤集成電路%厚膜工藝%光刻%平麵螺鏇電感
혼합집성전로%후막공예%광각%평면라선전감
采用传统厚膜布线工艺通常可实现150 μm的线宽,而达到50 μm以下的线宽是非常困难的.文章介绍了一种利用光刻技术结合厚膜工艺实现10～50 μm线宽的技术,并给出了该项技术在实际产品中的应用实例.
採用傳統厚膜佈線工藝通常可實現150 μm的線寬,而達到50 μm以下的線寬是非常睏難的.文章介紹瞭一種利用光刻技術結閤厚膜工藝實現10～50 μm線寬的技術,併給齣瞭該項技術在實際產品中的應用實例.
채용전통후막포선공예통상가실현150 μm적선관,이체도50 μm이하적선관시비상곤난적.문장개소료일충이용광각기술결합후막공예실현10～50 μm선관적기술,병급출료해항기술재실제산품중적응용실례.
