湖南大学学报（自然科学版）
湖南大學學報（自然科學版）
호남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HUNAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES EDITION)
2006年
2期
63-65
,共3页
陈迪平%陈弈星%熊琦%王镇道
陳迪平%陳弈星%熊琦%王鎮道
진적평%진혁성%웅기%왕진도
MOS%线性区%混频器%低压%宽带
MOS%線性區%混頻器%低壓%寬帶
MOS%선성구%혼빈기%저압%관대
设计了一个基于工作在线性区的MOSFET的新型宽带混频器.此混频器以标准CMOS工艺和简单的电路实现了现代无线通讯系统高线性度、低压和低功耗的要求,工い作频带宽,且只需单端本振输入,解决了本振信号的单双端变换问题.由仿真结果可知:电路工作电压为1.2 V,功耗3.8 mW,增益为13.8 dB,P-1 dB为-4 dBm,噪声为12 dB.
設計瞭一箇基于工作在線性區的MOSFET的新型寬帶混頻器.此混頻器以標準CMOS工藝和簡單的電路實現瞭現代無線通訊繫統高線性度、低壓和低功耗的要求,工い作頻帶寬,且隻需單耑本振輸入,解決瞭本振信號的單雙耑變換問題.由倣真結果可知:電路工作電壓為1.2 V,功耗3.8 mW,增益為13.8 dB,P-1 dB為-4 dBm,譟聲為12 dB.
설계료일개기우공작재선성구적MOSFET적신형관대혼빈기.차혼빈기이표준CMOS공예화간단적전로실현료현대무선통신계통고선성도、저압화저공모적요구,공い작빈대관,차지수단단본진수입,해결료본진신호적단쌍단변환문제.유방진결과가지:전로공작전압위1.2 V,공모3.8 mW,증익위13.8 dB,P-1 dB위-4 dBm,조성위12 dB.
