CAJ | 학술논문

该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA).由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数.基于0.35 μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程.为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻.由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282 mm2.测试结果表明,在工作频带0.2-1.2 GHz内,LNA噪声系数低至2.5 dB,增益高达26.7 dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4 dB和-10 dB.
해문설계화제작료일관단편집성규타이질결쌍겁정체관(SiGe HBT)저조성방대기(LNA).유우방대기채용복합형전조부반궤결구,소이가령활조정불동반궤전조,동시획득합괄적편치、량호적단구필배화저적조성계수.기우0.35 μm Si CMOS평면공예제정료방대기단심편집성적공예류정.위료진일보강저방대기적조성계수,재제작방대기중SiGe기건시,채용태규합금(TiSi2)래감소정체관기겁전조.유우몰유사용점편면적대적라선전감,최종연제출적SiGe HBT LNA심편면적부위0.282 mm2.측시결과표명,재공작빈대0.2-1.2 GHz내,LNA조성계수저지2.5 dB,증익고체26.7 dB,수입수출단구반사계수분별소우-7.4 dB화-10 dB.