固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
1期
78-82
,共5页
姜理利%贾世星%冯欧%朱健
薑理利%賈世星%馮歐%硃健
강리리%가세성%풍구%주건
射频微机电系统开关%低温表面工艺%牺牲层技术%结构层技术
射頻微機電繫統開關%低溫錶麵工藝%犧牲層技術%結構層技術
사빈미궤전계통개관%저온표면공예%희생층기술%결구층기술
研究了砷化镓基毫米波MEMS开关的表面工艺方法,包括MEMS开关的工艺流程中的牺牲层技术、结构层技术、触点技术、薄膜电阻技术.重点阐述了以光敏聚酰亚胺作牺牲层和以电镀金作结构层的工艺制作方法.形成了砷化镓RF MEMS开关表面工艺流程,制作出了RF MEMS开关样品.开关驱动电压为60 V,35 GHz时的插入损耗＜0.2 dB,隔离度＞18 dB.
研究瞭砷化鎵基毫米波MEMS開關的錶麵工藝方法,包括MEMS開關的工藝流程中的犧牲層技術、結構層技術、觸點技術、薄膜電阻技術.重點闡述瞭以光敏聚酰亞胺作犧牲層和以電鍍金作結構層的工藝製作方法.形成瞭砷化鎵RF MEMS開關錶麵工藝流程,製作齣瞭RF MEMS開關樣品.開關驅動電壓為60 V,35 GHz時的插入損耗＜0.2 dB,隔離度＞18 dB.
연구료신화가기호미파MEMS개관적표면공예방법,포괄MEMS개관적공예류정중적희생층기술、결구층기술、촉점기술、박막전조기술.중점천술료이광민취선아알작희생층화이전도금작결구층적공예제작방법.형성료신화가RF MEMS개관표면공예류정,제작출료RF MEMS개관양품.개관구동전압위60 V,35 GHz시적삽입손모＜0.2 dB,격리도＞18 dB.
